WNSC2D12650TJ
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WNSC2D12650TJ
Product_Category
单二极管
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
类型
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
NO
价格
$1.6500
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商WeEn Semiconductors Co., Ltd
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱4-VSFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F380pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)12A
供应商设备包5-DFN (8x8)
工作温度 - 结175°C
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）650 V
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If1.7 V @ 12 A
电流 - 反向漏电流@Vr60 µA @ 650 V
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+86 15920035914
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