Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Transphorm
类型
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
NO
价格
$2.9700
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 3-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
| 功耗（最大） | 13.2W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.8V @ 500µA |
| 供应商设备包 | 3-PQFN (5x6) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 8V |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 9 nC @ 8 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 760 pF @ 400 V |
