Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Tagore Technology
类型
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
NO
价格
$3.3000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Tagore Technology |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 22-PowerVFQFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 11mA |
| 供应商设备包 | 22-QFN (5x7) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 0V, 6V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3 nC @ 6 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 110 pF @ 400 V |
