TO252MDD4N65DS
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TO252MDD4N65DS
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
NextGen Components
类型
MOSFET TO-252 N 650V 4A
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.7200
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商NextGen Components
系列TO-252
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs12 nC @ 10 V
+86 15920035914
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