SQJQ900E-T1_GE3
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SQJQ900E-T1_GE3
Product_Category
FET、MOSFET 阵列
制造商
Vishay / Siliconix
类型
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$1.1600
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 8 x 8 Dual
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大75W
漏源电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C100A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds5900pF @ 20V
Rds On（最大）@Id、Vgs3.9mOhm @ 20A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs120nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8 Dual
年级Automotive
资质AEC-Q101
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+86 15920035914
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