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单双极晶体管
制造商
Anbon Semiconductor
类型
200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.0100
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Anbon Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| 频率-转变 | 250MHz |
| 供应商设备包 | SOT-23 |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 200 mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40 V |
| 功率 - 最大 | 300 mW |
