IV1Q12160T4
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IV1Q12160T4
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Inventchip Technology
类型
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
封装
Packages
管子
RoHS
YES
价格
$18.0300
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Inventchip Technology
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs195mOhm @ 10A, 20V
功耗（最大）138W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.9V @ 1.9mA
供应商设备包TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）20V
Vgs（最大）+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs43 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds885 pF @ 800 V
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+86 15920035914
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