GT045N10M
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GT045N10M
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$1.8200
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列SGT
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C120A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs4.5mOhm @ 30A, 10V
功耗（最大）180W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-263
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs60 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds4198 pF @ 50 V
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