G800N06H
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G800N06H
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.1000
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-261-4, TO-261AA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs80mOhm @ 3A, 10V
功耗（最大）1.2W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包SOT-223
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs6 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds457 pF @ 30 V
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+86 15920035914
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