G35N02K
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G35N02K
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.4300
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
功耗（最大）40W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）2.5V, 4.5V
Vgs（最大）±12V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs24 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1380 pF @ 10 V
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