G10N10A
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G10N10A
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.5800
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs130mOhm @ 2A, 10V
功耗（最大）28W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id3V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs90 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds690 pF @ 25 V
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