G06N06S
  • image of 单 FET、MOSFET> G06N06S
G06N06S
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.2200
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs22mOhm @ 6A, 10V
功耗（最大）2.1W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs46 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds1600 pF @ 30 V
related
IRF830AS
IRF830AS Vishay / Siliconix
IRFD320
IRFD320 Vishay / Siliconix
IRFL110TR
IRFL110TR Vishay / Siliconix
IRFR120TRL
IRFR120TRL Vishay / Siliconix
IRFR9120TRL
IRFR9120TRL Vishay / Siliconix
+86 15920035914
9