G01N20LE
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G01N20LE
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
类型
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.4100
{{title}}
{{description}}
captcha
{{btnStr}}
Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C1.7A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs700mOhm @ 1A, 10V
功耗（最大）1.5W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包SOT-23-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）4.5V, 10V
Vgs（最大）±20V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs12 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds580 pF @ 25 V
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+86 15920035914
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