CGD65B200S2-T13
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CGD65B200S2-T13
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
类型
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$4.5500
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs280mOhm @ 600mA, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id4.2V @ 2.75mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）9V, 20V
Vgs（最大）+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs1.4 nC @ 12 V
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+86 15920035914
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