CGD65A055S2-T07
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CGD65A055S2-T07
Product_Category
单 FET、MOSFET
制造商
Cambridge GaN Devices
类型
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$9.5400
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captcha
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Specifications
类型描述
制造商Cambridge GaN Devices
系列ICeGaN™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C27A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs77mOhm @ 2.2A, 12V
场效应管特性Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id4.2V @ 10mA
供应商设备包16-DFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）12V
Vgs（最大）+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs6 nC @ 12 V
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