BY25Q80BSTIG(R)
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BY25Q80BSTIG(R)
Product_Category
记忆
制造商
BYTe Semiconductor
类型
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
封装
Packages
卷带式 (TR)
RoHS
YES
价格
$0.1500
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captcha
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Specifications
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8
+86 15920035914
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